Samsung bir süre hem bant genişliğini hem de kapasiteyi önemli ölçüde artıran yeni GDDR6W belleklerini duyurmuştur. Samsung aynı zamanda yeni nesil GDDR7 bellekler üzerindeki çalışmalarına da devam etmekte.
Görünen o ki yeni nesil GDDR7 bellek standardı, mevcut GDDR6’ya göre bant genişliğini ve yoğunluğunu iki katına yükseltecektir. Samsung’a ait bir sunum olduğu belirtilen ve Ian Cutress tarafından paylaşılan görsele göre yarı iletken devi, GDDR7 belleklerde 36 Gbps hız için PAM3 sinyalini kullanacaktır.
PAM3 sinyali kullanılacak.
Geleneksel GDDR6 bellek, 14 Gb/sn’den başlayan 24 Gb/sn seviyesine ulaşabilir veri hızlarına ulaşmak için NRZ veya PAM2 sinyalini kullanmaktadır. Intel’in daha önce duyurduğu 80G Thunderbolt arayüzü ve USB arayüzünün de PAM3 sinyalini kullanacağını belirtmekte de fayda var. Bununla birlikte Nvidia RTX 3080 ve 3090’da yer alan Micron GDDR6X (18 Gb/sn ile 23 Gb/sn) belleklerde ise PAM4 sinyali kullanılıyor.
Geleneksel NRZ sinyali, döngü başına 1 bit iletim hızı sağlarken, PAM4’ün ise döngü başına 2 bit sağladığı belirtiyor. PAM3 ise daha gelişmiş bir dalga biçimi kullanarak bunu döngü başına 3 bit’e çıkarmakta. Görsele göre Samsung, PAM3’ün NRZ sinyalinden %25 daha verimli olduğunu ve dolayısıyla da GDDR7’nin %25 daha fazla enerji verimli olacağını söylemekte.
